晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應(yīng)用
規(guī)格：DG42N, DS42N, DG40N, DS40N, DG44, DS44N
單位：
瀏覽次數(shù)：2533
性能標(biāo)簽：
晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應(yīng)用
產(chǎn)品詳細描述
晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應(yīng)用
單晶硅爐常使用型號
多晶硅爐常使用雙色紅外測溫儀
1、低價格雙色紅外測溫儀DSR44N(700~1800°C)
2、中價格雙色紅外測溫儀DSR54N(700~1800°C)
3、中價格雙色紅外測溫儀DSR56N(700~1800°C)
4、高精度雙色紅外測溫儀DSR10N(700~1800°C)
測量空間有限時，推薦使用光纖紅外測溫儀
簡述
太陽能行業(yè)的晶圓生產(chǎn)需要用到單晶硅或多晶硅，是在所謂的晶體生長爐，即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長的。
這種從爐內(nèi)生長的單晶或多晶硅，是要從結(jié)晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長出來的。測量這種過程的結(jié)晶熔液的溫度很重要，同樣控制這個結(jié)晶過程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協(xié)調(diào)好，才能確保最優(yōu)的晶體生長過程。
太陽能單晶爐可使用的DIAS紅外測溫儀有10、40、44、54、56這些系列，都可以用來測量晶體生長的熔化溫度，性價比較高的40、42、44系列型號有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均為短波紅外測溫儀，測溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
多晶硅爐也可使用雙色紅外測溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過總線連接到現(xiàn)有控制系統(tǒng)。
在測量空間有限時，推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測溫儀；低價格型號有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，最小的光纖探頭的光圈為12mm，測溫范圍可以選600~1800°C。另外，可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米。
不管是哪一種測量任務(wù)，都可以選擇好合適的紅外測溫儀參數(shù)，獲得最優(yōu)的效果，觀測和控制獲得最佳的晶體生長。
歡迎關(guān)注我們微信公眾號KingDIAS
如需了解更多紅外產(chǎn)品及應(yīng)用，
請關(guān)注我們的微信公眾號KingDIAS，
或掃一掃二維碼：
本網(wǎng)站資料大多是準(zhǔn)確的，最新產(chǎn)品資料以產(chǎn)品說明書和操作手冊為準(zhǔn)。產(chǎn)品圖片可能與實際有差別，請以實物為準(zhǔn)。